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晶振定义

石英晶体振荡器,石英谐振器简称为晶振,它是利用具有压电效应的石英晶体片制成的。

这种石英晶(jing)体(ti)(ti)薄片受到(dao)外加交(jiao)(jiao)变电(dian)场的(de)(de)作用时会(hui)产生机械(xie)振动(dong),当交(jiao)(jiao)变电(dian)场的(de)(de)频率与石英晶(jing)体(ti)(ti)的(de)(de)固有频率相同(tong)时,振动(dong)便变得很强烈,这就是晶(jing)体(ti)(ti)谐振特性的(de)(de)反(fan)应。

利用这(zhei)种特性,就可以(yi)用石英谐(xie)振器取(qu)代LC(线圈和(he)电容)谐(xie)振回路、滤(lv)波器等。由于石英谐(xie)振器具(ju)有体(ti)积小、重量轻、可靠性高、频率稳定度高等优点,被应用于家用电器和(he)通信设备(bei)中。

晶振分类

按大类分为以下4种

1、简单晶体振荡器(XO)

这是最基本(ben)的(de)类(lei)型,其(qi)(qi)稳定(ding)(ding)(ding)度(du)完全(quan)由晶(jing)体(ti)谐振器(qi)本(ben)身的(de)固有特性决定(ding)(ding)(ding)。 在MHz范围内的(de)较高(gao)频率(lv)晶(jing)体(ti)由石(shi)英(ying)棒制成,其(qi)(qi)制造方(fang)式是即使(shi)环境温(wen)(wen)度(du)在-55℃至+125℃(-67°F至 +257°F)之间变化(hua),也(ye)可提供(gong)相(xiang)对(dui)稳定(ding)(ding)(ding)的(de)频率(lv)。即使(shi)在这么宽(kuan)的(de)温(wen)(wen)度(du)范围内,适(shi)当(dang)切(qie)割的(de)石(shi)英(ying)晶(jing)体(ti)也(ye)可实(shi)现±25ppm的(de)稳定(ding)(ding)(ding)度(du)。与(yu)诸如随温(wen)(wen)度(du)变化(hua)可达1%(10,000ppm)或更高(gao)的(de)LC振荡(dang)电路等(deng)其(qi)(qi)它被动(dong)谐振器(qi)相(xiang)较,晶(jing)体(ti)振荡(dang)器(qi)的(de)性能已大幅提升了。但对(dui)于某些应用(yong)来说,即使(shi)25ppm也(ye)不够(gou)好,因此必须采(cai)用(yong)额外措施。

2、温度补偿晶体振荡器(TCXO)

如果固有频率与石英晶体的温度稳定度无法满足应用要求,就可以采用温度补偿单元。TCXO使用温度感测元件以及产生电压曲线的电路,在整个温度范围内,该电压曲线与晶体的频率变化趋势完全相反,所以可理想地抵消晶体的漂移。根据TCXO的类型和温度范围,TCXO的典型稳定度规范范围为小于±0.5ppm至±5ppm。

3、恒温控制晶体振荡器(OCXO)

对于某些应用,TCXO的频率-温度稳定度指标仍无法满足要求。在这些情况下,可能需要OCXO。顾名思义,具有烤腔的振荡器将晶体加热到更高温度,但仍受控制,使得环境温度即使变化大,晶体的温度也保持稳定。由于晶体的温度和振荡器的敏感部份变化很小,频率-环境温度稳定度得到显着改善。在环境温度范围内,OCXO的稳定度可以达到0.001ppm。然而,这种稳定度的提升是以增加功耗为代价的,将热量提供给烤腔当然需要能量。典型的OCXO可能需要1到5W的功率以维持内部温度。在开机后,还需要等待温度和频率稳定的暖机时间,取决于晶体振荡器的类型,暖机时长通常从1分钟到10多分钟。

4、压控晶体振荡器(VCXO)

在一些应用中,期望能够调谐或调整振荡器的频率,以便将其锁相到锁相环(PLL)中的参考,或可能用于调节波形。VCXO透过电子频率控制(EFC)电压输入,提供了这项功能。对于某些专用元件,VCXO的调谐范围规格可能在±10ppm到±100ppm(甚至更高)。

晶(jing)振选(xuan)型

5要素

1、输出频率

任何振荡器最基本的属性都是它生成的频率。根据定义,振荡器是接受输入电压(通常为直流电压)并在某一频率下产生重复交流输出的器件。所需的频率由系统类型和如何使用该振荡器所决定。
一些应用需要kHz范围内的低频晶体。一个常见的例子是32.768 kHz手(钟)表晶体。 但是大多数当前的应用需要更高频率的晶体,范围从小于10MHz到大于100MHz。
2、频率稳定性和温度范围
所需的频率稳定性由系统要求确定。振荡器的稳定性可简单地表述为:由于某些原因引起的频率变化除以中心频率。(即:稳定性=频率变化÷中心频率)

3、输入电压和功率

任何类型的晶振通常都可以被设计为利用系统中已有的DC输入电源电压来操作。 在数字系统中,通常希望使用与振荡器将驱动的系统中的逻辑器件所使用的电压相匹配的电压来驱动晶振,以便逻辑电平是直接兼容的。+3.3V或+5V是这些数字单元的典型输入。具有较高功率输出的其它器件可以使用较高电压,例如+12V或+15V。另一个考虑因素是为器件供电所需的电流量。XO或TCXO可能只需要几mA,因此在低电压系统中,其功耗可以小于0.01W。另一方面,在上电时,一些OCXO可以需要5W或6W。

4、输出波形

然后要选择输出波形以匹配振荡器将在系统中驱动的负载。最常见的输出之一是CMOS——以驱动逻辑电平输入。CMOS输出将是在地电位和系统的Vdd轨之间摆动的方波。对于高于约100MHz的较高频率,通常使用差分方波。这些振荡器具有两个180°异相的输出、具有快速上升和下降时间以及非常小的抖动。最通用的类型是LVPECL和LVDS。如果振荡器用于驱动RF组件、如混频器或其它具有50Ω输入阻抗的器件,则通常会指定某个功率级别的正弦波输出。产生的输出功率通常在0dBm到+13dBm(1mW到20mW)之间,尽管如果需要可以输出更高功率。

5、封装尺寸和外形

基于振荡器类型和规格,对晶振封装的要求将大相径庭。简单的时钟振荡器和一些TCXO可以装在小到1.2×2.5mm2的封装中;而一些OCXO可以大到50×50mm2,对某些特定设计,甚至可更大。虽然一些通孔封装如双列直插式4或14引脚类型仍然用于较大的部件(如OCXO或专用TCXO),但大多数当前设计使用表贴封装。这些表贴配置可以是密封的陶瓷封装,或基于FR-4的、具有用于I/O的建构的组件。

6、总结

器(qi)件选型时一般都要(yao)留(liu)出一些(xie)余量,以保证产(chan)(chan)品的(de)(de)可(ke)(ke)靠(kao)性(xing)。选用较高(gao)档(dang)的(de)(de)器(qi)件可(ke)(ke)以进(jin)一步降低失效(xiao)概率,带来(lai)潜在(zai)的(de)(de)效(xiao)益,这一点在(zai)比较产(chan)(chan)品价(jia)(jia)格的(de)(de)时候也(ye)要(yao)考虑到(dao)。要(yao)使振荡器(qi)的(de)(de)“整体性(xing)能(neng)”趋于(yu)平(ping)衡、合理,这就需要(yao)权衡诸如稳定(ding)度(du)、工作温度(du)范(fan)围、晶体老化效(xiao)应、相位噪声、成(cheng)本(ben)等多方面因素,这里的(de)(de)成(cheng)本(ben)不仅仅包含器(qi)件的(de)(de)价(jia)(jia)格,而且包含产(chan)(chan)品全寿命的(de)(de)使用成(cheng)本(ben)。

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